一、 可控硅開關特點
一般用于TSC技術的低壓動態(tài)補償用的可控硅開關都采用大功率晶閘管反并聯(lián)封裝，其額定電流可達數(shù)百安培，反向耐壓可達1800v以上。由于其具有電力電子器件的特性，因此在通過檢測電壓過零點時給可控硅觸發(fā)信號實現(xiàn)無觸點、無涌流投切，并且響應時間快，在半個波形周期內就能實現(xiàn)觸發(fā)導通。由于可控硅屬半導體器件，通態(tài)電流比較大時，會有一定的發(fā)熱。

二、 復合開關特點
復合開關又叫機電一體化開關，是由交流接觸器和可控硅相并聯(lián)封裝而成。其導通利用可控硅實現(xiàn)無涌流投切，投切完成后再將交流接觸器主回路閉合，并退出可控硅。這一優(yōu)點是運行時發(fā)熱相對于可控硅稍小一些。

復合開關因交流接觸器與可控硅的相互制約導致無法實現(xiàn)較大的通態(tài)電流，反向耐壓只能達到1600v并且投切過程復雜，可控硅開斷頻繁，容易被擊穿，造成故障率較高，一般用于農網臺區(qū)的小容量補償。

三、兩者應用的差異分析

首先從運行維護上考慮，通常用三只單相的可控硅固定在鋁合金強制風冷散熱模塊上，后期維護方便，如出現(xiàn)某只可控硅損壞可快速更換，其他可控硅可繼續(xù)使用。由于復合開關采用交流接觸器與可控硅小形三端封裝，如內部任意部件出現(xiàn)故障，只能將整體更換，后期維護費用高。

從造價上考慮，假設某一套補償裝置容量360kvar，如采用復合開關，其單組最大容量為30kvar，也就是該套裝置需要分12個支路，而選用可控硅作為投切開關，其最大單組容量為90kvar，如按照30+60+90+90+90分組可在實現(xiàn)同樣補償效果的前提下減少7個支路，因此減小了一定的造價。

從安裝上考慮，在配電抗器的前提下，以1000*1000*2200的GCK柜體為例，采用復合開關安裝12支路，將需要兩面柜體。如采用可控硅作為投切開關只需一面柜體即可。

四、 希拓電氣可控硅開關

STT標準型晶閘管投切模塊技術源自德國，我司在充分消化吸收德國技術和先進制造工藝的基礎上，研制出了擁有自主知識產權的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護電路，智能型散熱片組成。自主專利技術保證電壓過零觸發(fā)，電流過零斷開，真正實現(xiàn)投切無涌流，跟隨速度快，有效補償沖擊性負荷，平均響應時間小于15ms，很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。